RHEED相关论文
第三代半导体的蓬勃发展使得氮化镓（GaN）以其特殊的结构特性、电学特性以及光学特性成为当前研究的热点。近年来GaN基相关器件的发展......
本文采用MBE进行InAs/GaAs与InGaAs/GaAs量子点的生长,利用RHEED进行实时监测,并利用RHEED强度振荡测量生长速率。对生长的InAs/Ga......
在N2气压为2.67×10-2pa,500℃的条件下,用MBE方法在GaAs(001)衬底上生长了InN的外延层.生长期间,In流量以3×1014到24×1014atoms......
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通过在自制的电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积 (ECR -PEMOCVD)系统上装配反射高能电子衍射仪 (RHEED) ,对外延GaN......
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研究了不同生长温度对分子束外延设备在蓝宝石衬底上外延A1N薄膜时对薄膜样品晶体质量和表面形貌的影响。研究发现：随着生长温度的......
在超高真空分子束外延 (MBE)生长技术中 ,反射式高能电子衍射仪 (RHEED)能实时显示半导体和金属外延生长过程 ,给出薄膜表面结构和......
A Ga wetting layer was used to modify the surface structure of sapphire (0001) substrate to prepare high-quality ZnO fil......
在分子束外延(MBE)设备中,采用高温退火的方法在6H-SiC(0001)表面外延石墨烯,并研究了退火时间对外延石墨烯形貌和结构的影响.利用......
从原子级平坦的GaAs(001)-β2(2×4)重构表面出发,结合Reflection High Energy Electron Diffraction(RHEED)衍射图像演变和不......
通过简单叙述Ⅲ族GaN基氮化物薄膜,以及了解半导体薄膜生长系统的温度变化情况重要性,提出了基于双热电偶校准薄膜生长装置ECR-PEM......
通过简单叙述作为外延薄膜进行原位监测的一个重要手段的反射高能电子衍射（RHEED）以及RHEED图像的条纹或点阵与GaN基薄膜表面形貌的......
采用带有RHEED的MBE技术，在GaAs（001）单晶衬底上生长不同厚度（0ML，4ML，15ML）的In0.53Ga0.47As外延层，实时监测RHEED衍射图像的演变过程，生长......
在分子束外延（MBE）中波HgCdTe薄膜过程中，利用反射式高能电子衍射（RHEED）对衬底表面脱氧和生长过程中生长参数对材料特性的影响进行研究......
利用等离子辅助分子束外延技术，在蓝宝石c-平面上外延生长了ZnO单晶薄膜。原位反射式高能电子衍射结果表明，在650℃时样品为平整的表......
利用反射高能电子衍射(RHEED),研究了在SrTiO3(100)基片上采用激光分子束外延法生长的[(Ba-TiO3)m/(SrTiO3)m]n超晶格薄膜的生长特......
在自行设计研制的先进的电子回旋共振（ECR）等离子体增强化学气相沉（PECVD）装置上，采用ECR-PECVD可控活化低温外延技术，以SiH4＋H2为气源，硅......
用PLD方法在Si（111）衬底上制备了ZnO薄膜．在薄膜的沉积过程中，用安装在激光脉冲沉积设备上的反射高能电子衍射仪（RHEED）对薄膜的生长进行......
论述了反射高能电子衍射（RHEED）作为外延薄膜进行原位监测的一个重要手段以及RHEED图像与外延薄膜的表面形貌的关系，提出了以RHEED图......
通过阐述外延薄膜进行原位监测的反射高能电子衍射（RHEED）以及RHEED图像的条纹或点阵与GaN基薄膜表面形貌的关系，提出了基于RHEED图像......
利用反射式高能电子衍射(RHEED)在超高真空中对SrTiO3(100)、LaAlO3(100)、Si(100)单晶基片进行分析,讨论了衍射花样与晶体表面结......
本文根据在调试分子束外延（MBE）系统过程中，使用反射式高能电子衍射（RHEED）对GaAs样品实时监控得到的图片进行分析，从而总结出在MBE外延......
GaAs的高迁移率与其表面重构和表面形貌有密切关联,对于GaAs表面重构的研究一直是研究低维半导体的重点和难点。重点回顾了几十年......
用激光分子束外延研究了SrTiO3同质外延时原位退火中,反射高能电子衍射(RHEED)强度的恢复--驰豫时间,导出了高真空下表面扩散的活......
本文采用反射式高能电子衍射（RHED）监测脉冲激光沉积法制备钛酸铅薄膜过程。根据PbTi03／MgO（001）薄膜、PbTiO3／Si（100）薄膜生长过程中RHEED......
分析了在ECR-MOCVD装置上外延生长GaN单晶薄膜的工艺特点,在此基础上尝试了一种新的氮化方法处理衬底表面,并进行了一系列不同条件......
利用高能电子衍射振荡研究MBE异质材料生长工艺.优化了AlGaAs/InGaAs/GaAs材料生长工艺.通过霍耳测量、X射线双晶衍射及二次离子质......
采用激光脉冲分子束外延技术,在(100)取向的SrTiO3单晶基片上成功外延生长了LaAlO3/BaTiO3超晶格薄膜.在超晶格薄膜生长过程中,采......
<正>MgO薄膜以其可在低温下实现外延生长,具有很好的热稳定性与化学稳定性,优良的界面性能及电学性能等特性,常被作为诱导多元氧化......
论述了利用分子柬外延方法在InAs（001）基片上生长InAs时，样品表面由富As的（2×4）向富In的（4×2）转变的现象。通过控制生长参数生......
在超高真空下利用激光分子束外延(LMBE)方法基于SrTiO3(100)单晶基片同质外延SrTiO3薄膜.通过反射式高能电子衍射(RHEED)对生长过......
用激光分子束外延（LMBE）设备,在SrTiO3（001）基片上外延生长BaTiO3/CoFe2O4/BaTiO3多层复合磁电薄膜结构。通过反射式高能电子衍射（RHEED......
我们自行研制了具有三级差分气路可以在高气压下工作的RHEED系统(High-pressure RHEED)，并利用本系统实时监测了(001)SrTiO3基片上S......
报道了间接测定InAs生长速率的方法.通过设置不同Ga源温度,固定In源温度;和固定Ga源温度,设置不同In源温度,在GaAs（001）衬底上生长Ga......
研究了不同生长温度对分子束外延设备在蓝宝石衬底上外延A1N薄膜时对薄膜样品晶体质量和表面形貌的影响。研究发现：随着生长温度的......
氧化锌（ZnO）是一种直接带隙宽禁带（3.37eV）Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有较大的激子束缚能（60 meV）,理论上可以在室温下实现紫外光的受激......
利用反射式高能电子衍射仪（RHEED）对微电子技术常用的Si，SrTiO3单晶基片进行了表面结构分析．研究了硅基片的不同清洗工艺对衍射图样的......
利用分子束外延技术,在GaAs(001)基片上外延InGaAs/GaAs异质薄膜,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量......
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通过反射高能电子衍射仪(RHEED)分析蓝宝石衬底在经过双热电偶校温的ECR-PEMOCVD装置中清洗氮化实验表面晶质的RHEED图像,研究了常......
在经过校温的ECR-PEMOCVD装置上,通过分析RHEED(反射高能电子衍射)图像研究了常规清洗和ECR等离子体所产生的活性氢氮等离子体源对......
PbTe为Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体中的一员,具有直接跃迁和窄禁带等属性,室温带边发光位于中红外区域。与Ⅲ-Ⅴ族窄禁带半导体相比,具有......
随着现代微电子和光电子技术的发展,电子器件朝着微型化和集成化的方向发展。具有ABO3结构的薄膜如YBaCuO、BaTiO3、PbTiO3、（Pb,La......
研究了脉冲激光淀积MgO薄膜的过程中,制备工艺参数对薄膜结晶性的影响.研究发现,MgO薄膜的结晶性主要受控于衬底温度和激光能量密......
氢钝化技术是利用氢原子终结表面悬挂键的一种技术。半导体经氢钝化处理后可以获得干净、平整、抗氧化能力强的表面，有利于制备高性......
我们采用ECR-PEMOCVD等离子体系统在200℃下对SiC表面进行了氢处理。处理前后我们对SiC表面做了RHEED和XPS分析。通过分析我们发现......
